CMOS的发展历程？先由PMOS发展到NMOS，又发展为CMOS，目前CMOS技术渐渐不能胜任需求，又发展出BiCOMS、BCD 和HV-CMOS 等多个变种工艺技术。
在PMOS晶体管中，源极（Source）和漏极（Drain）是由p型半导体制成，衬底（Substrate）是n型半导体。当在栅极（Gate）和源极之间施加负电压时，空穴被吸引到栅极下方形成导电通道，使电流能够通过。
NMOS（N型金属氧化物半导体）NMOS 晶体管采用相反的方法。源极和漏极采用n型半导体，衬底采用p型半导体。当栅极相对于源极呈正电压时，会在N型硅基底和氧化层之间形成负电荷载流子导电的“沟道”，实现电流的导通。
CMOS技术是将NMOS和PMOS晶体管集成在同一个IC上的技术。在CMOS电路中，NMOS和PMOS晶体管是互相补充的关系，即当一个导通时，另一个关闭。
CMOS的优点1，功耗极低：在没有信号变化时，一个CMOS逻辑门中要么是NMOS导通要么是PMOS导通。因此，静态功耗很低，只有在信号切换时才有显著功耗。较低的功耗意味着与单独基于 PMOS 或 NMOS 的 IC 相比，基于CMOS 技术的 IC 产生的热量更少。
2，高抗噪性
3，集成度更高：随着工艺技术的发展，晶体管的尺寸不断缩小。在同样的芯片面积内集成更多的晶体管，从而提高了集成度。且CMOS技术支持模拟和数字电路的集成，这使得在单一芯片上实现复杂的系统级功能，例如系统级芯片（SoC）就是将处理器、内存、mems等多种功能集成在单一芯片上的技术。
CMOS的应用场景
CMOS技术用于构建集成电路（IC）芯片，包括微处理器、微控制器、存储芯片和其他数字逻辑电路。CMOS 技术还用于模拟电路，例如图像传感器、数据转换器、射频电路( RF CMOS ) 等。
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